生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | DATA RETENTION = 10 YRS | JESD-30 代码: | R-XDFP-U34 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 34 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | J INVERTED |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
DS1630ABLPM-70 | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, |
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DS1630ABLPM-70IND | DALLAS | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, |
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DS1630ABLPM-70-IND | ETC | NVRAM (Battery Based) |
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DS1630B | NSC | Hex CMOS Compatible Buffer |
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DS1630BJ | TI | BUFFER AMPLIFIER, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 |
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DS1630J | TI | IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,BIPOLAR,DIP,14PIN,CERAMIC |
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