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DS1630ABL-70-IND

更新时间: 2024-01-19 16:37:05
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达拉斯 - DALLAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 474K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS,

DS1630ABL-70-IND 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73最长访问时间:70 ns
其他特性:10 YEAR DATA RETENTIONJESD-30 代码:R-XDSO-U34
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:34字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.085 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J INVERTED
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DS1630ABL-70-IND 数据手册

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