生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | 10 YEAR DATA RETENTION | JESD-30 代码: | R-XDSO-U34 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 34 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装等效代码: | MODULE,34LEAD,1.0 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | J INVERTED |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1630ABL-85 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, | |
DS1630ABL-85-IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, | |
DS1630ABLPM-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, | |
DS1630ABLPM-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, | |
DS1630ABLPM-70IND | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, | |
DS1630ABLPM-70-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1630B | NSC |
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Hex CMOS Compatible Buffer | |
DS1630BJ | TI |
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BUFFER AMPLIFIER, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 | |
DS1630J | TI |
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IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,BIPOLAR,DIP,14PIN,CERAMIC | |
DS1630J/883 | TI |
获取价格 |
IC,LOGIC GATE,HEX BUFFER,BIPOLAR,DIP,14PIN,CERAMIC |