是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | PLASTIC PACKAGE-2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.78 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 50 A | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 1 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 100 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1350AB | DALLAS |
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4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | |
DS1350AB | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS | |
DS1350AB-100 | DALLAS |
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4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | |
DS1350AB-70 | DALLAS |
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4096k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor | |
DS1350AB-IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS | |
DS1350ABL-100 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350ABL-100-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350ABL-70 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1350ABL-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) | |
DS1350ABLPM-100 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, PDFP34, |