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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 最长访问时间： | 100 ns |
| 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION PERIOD | JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1250AB-100IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32 |
|
| DS1250AB-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 |
|
| DS1250AB-100IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 |
|
| DS1250AB-70 | DALLAS |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1250AB-70 | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 |
|
| DS1250AB-70+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 |
|
| DS1250AB-70IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32 |
|
| DS1250AB-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1250AB-70IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 |
|
| DS1250AB-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS |
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