是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | 0.740 INCH, DIP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8473.30.11.40 | 风险等级: | 5.27 |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | 10 YEAR DATA RETENTION |
JESD-30 代码: | R-XDMA-P32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DS1250AB-70IND+ | MAXIM |
完全替代 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 | |
DS1250AB-70+ | MAXIM |
类似代替 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1250AB-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) | |
DS1250AB-70IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 | |
DS1250AB-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS | |
DS1250ABL-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) | |
DS1250ABL-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) | |
DS1250ABL-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) | |
DS1250ABL-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) | |
DS1250ABP | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, | |
DS1250ABP-100 | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34 | |
DS1250ABP-100 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34 |