生命周期: | Transferred | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.66 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | R-XDMA-U34 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 34 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装等效代码: | MODULE,34LEAD,1.0 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.085 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J INVERTED | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1250BL-100-IND | DALLAS |
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4096K Nonvolatile SRAM | |
DS1250BL-70 | DALLAS |
获取价格 |
4096K Nonvolatile SRAM | |
DS1250BL-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
4096K Nonvolatile SRAM | |
DS1250W | DALLAS |
获取价格 |
3.3V 4096k Nonvolatile SRAM | |
DS1250W | MAXIM |
获取价格 |
3.3V 4096k Nonvolatile SRAM | |
DS1250W | ADI |
获取价格 |
3.3V、4096k非易失SRAM | |
DS1250W-100 | DALLAS |
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Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, | |
DS1250W-100+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 | |
DS1250W-100IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32 | |
DS1250W-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, |