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DS1250AB-IND

更新时间： 2024-09-16 15:31:07

品牌	Logo	应用领域
美信 - MAXIM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	38K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS

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DS1250AB-IND 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.43
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	10 YEARS OF DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码：	R-XDMA-N32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS1250ABL-100	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1250ABL-100-IND	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1250ABL-70	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1250ABL-70-IND	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1250ABP	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS,
DS1250ABP-100	ROCHESTER	获取价格	512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, POWERCAP MODULE-34
DS1250ABP-100	DALLAS	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34
DS1250ABP-100+	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34
DS1250ABP-100-IND	DALLAS	获取价格	4096k Nonvolatile SRAM
DS1250ABP-100IND+	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34