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DS1250AB-100-IND

更新时间: 2024-11-01 20:28:11
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 535K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32

DS1250AB-100-IND 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Transferred
包装说明:0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.73Is Samacsys:N
最长访问时间:100 ns其他特性:10 YEAR DATA RETENTION PERIOD
JESD-30 代码:R-XDIP-T32JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.085 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DS1250AB-100-IND 数据手册

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