是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.73 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | 其他特性: | 10 YEAR DATA RETENTION PERIOD |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1250AB-100IND+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 100ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 | |
DS1250AB-70 | DALLAS |
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4096k Nonvolatile SRAM | |
DS1250AB-70 | ROCHESTER |
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512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 | |
DS1250AB-70+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 | |
DS1250AB-70IND | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32 | |
DS1250AB-70-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1250AB-70IND+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 | |
DS1250AB-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS | |
DS1250ABL-100 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1250ABL-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |