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DS1249Y

更新时间： 2024-09-14 22:54:35
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 155K
描述
2048k Nonvolatile SRAM

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DS1249Y 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72最长访问时间：70 ns
其他特性：10 YEARS OF DATA RETENTION PERIODJESD-30 代码：R-PDIP-T32
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

DS1249Y 数据手册

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DS1249Y/AB  
2048k Nonvolatile SRAM  
www.maxim-ic.com  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
ꢀꢁ10 years minimum data retention in the  
absence of external power  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
1
32  
31  
VCC  
A15  
A17  
WE  
A13  
A8  
2
3
4
30  
29  
ꢀꢁData is automatically protected during power  
loss  
ꢀꢁUnlimited write cycles  
5
6
28  
27  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A9  
7
8
26  
25  
ꢀꢁLow-power CMOS operation  
ꢀꢁRead and write access times as fast as 70 ns  
ꢀꢁLithium energy source is electrically  
disconnected to retain freshness until power is  
applied for the first time  
ꢀꢁFull ±=10% VCC operating range (DS1249Y)  
ꢀꢁOptional ±=5% VCC operating range  
(DS1249AB)  
A11  
OE  
A10  
CE  
9
10  
24  
23  
A1  
11  
12  
22  
21  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
A0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
13  
14  
15  
16  
20  
19  
18  
17  
ꢀꢁOptional industrial temperature range of  
-40°C to +85°C, designated IND  
ꢀꢁJEDEC standard 32-pin DIP package  
32-Pin ENCAPSULATED PACKAGE  
740-mil EXTENDED  
PIN DESCRIPTION  
A0 - A17  
DQ0 - DQ7  
CE  
- Address Inputs  
- Data In/Data Out  
- Chip Enable  
- Write Enable  
- Output Enable  
- Power (+5V)  
- Ground  
WE  
OE  
VCC  
GND  
NC  
- No Connect  
DESCRIPTION  
The DS1249 2048k Nonvolatile SRAMs are 2,097,152-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as  
262,144 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry  
which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the  
lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to  
prevent data corruption. There is no limit on the number of write cycles which can be executed and no  
additional support circuitry is required for microprocessor interfacing.  
1 of 8  
033004  
12345678

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与DS1249Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DS1249Y/AB ETC

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 		2048K Nonvolatile SRAM
DS1249Y100 DALLAS

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 		2048k Nonvolatile SRAM
DS1249Y-100 ETC

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 		NVRAM (Battery Based)
DS1249Y-100IND MAXIM

获取价格

 		Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, PDIP32, DIP-32
DS1249Y-100-IND ETC

获取价格

 		NVRAM (Battery Based)
DS1249Y70 DALLAS

获取价格

 		2048k Nonvolatile SRAM
DS1249Y-70 ETC

获取价格

 		NVRAM (Battery Based)
DS1249Y-70# MAXIM

获取价格

 		Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32
DS1249Y-70IND ROCHESTER

获取价格

 		256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32
DS1249Y-70-IND ETC

获取价格

 		NVRAM (Battery Based)

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