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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | 0.740 INCH, DIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-P32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1249Y-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1249Y-70IND# | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, DIP-32 |
|
| DS1249Y-70IND# | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DIP32, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 |
|
| DS1249Y-85 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1249Y-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1249Y-85IND# | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 256KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
|
| DS1250 | DALLAS |
获取价格 |
Memory Circuit, CMOS, PDIP28, |
|
| DS1-25-0001 | SCHURTER |
获取价格 |
Storage Choke, fully potted resign |
|
| DS1-25-0002 | SCHURTER |
获取价格 |
Storage Choke, fully potted resign |
|
| DS1-25-0003 | SCHURTER |
获取价格 |
Storage Choke, fully potted resign |
|
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