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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8473.30.11.40 | Factory Lead Time： | 14 weeks |
| 风险等级： | 1.91 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 85 ns | 其他特性： | DATA RETENTION > 10 YEARS |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | 长度： | 53.085 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 9.27 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1250 | DALLAS |
获取价格 |
Memory Circuit, CMOS, PDIP28, |
|
| DS1-25-0001 | SCHURTER |
获取价格 |
Storage Choke, fully potted resign |
|
| DS1-25-0002 | SCHURTER |
获取价格 |
Storage Choke, fully potted resign |
|
| DS1-25-0003 | SCHURTER |
获取价格 |
Storage Choke, fully potted resign |
|
| DS1-25-0004 | SCHURTER |
获取价格 |
Storage Choke, fully potted resign |
|
| DS1250AB | DALLAS |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM |
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| DS1250AB | MAXIM |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM |
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| DS1250AB | ADI |
获取价格 |
4096k非易失SRAM |
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| DS1250AB-100 | DALLAS |
获取价格 |
4096k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1250AB-100 | ROCHESTER |
获取价格 |
512KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA32, 0.740 INCH, DIP-32 |
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