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DS1230ABP-100+

更新时间： 2024-09-15 14:41:51

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	921K
描述
32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, DMA34, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34

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DS1230ABP-100+ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DMA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34	针数：	34
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.62
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-XDMA-U34
JESD-609代码：	e3	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	NOT SPECIFIED	功能数量：	1
端子数量：	34	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	245
认证状态：	COMMERCIAL	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	J INVERTED	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS1230AB-P100IND	DALLAS	获取价格	256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-100-IND	DALLAS	获取价格	256k Nonvolatile SRAM
DS1230AB-P120	DALLAS	获取价格	256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-120	DALLAS	获取价格	256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-120	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34
DS1230AB-P120IND	DALLAS	获取价格	256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-120-IND	DALLAS	获取价格	256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-120-IND	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 120ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34
DS1230AB-P150	DALLAS	获取价格	256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-150	DALLAS	获取价格	256k Nonvolatile SRAM