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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | , MODULE,34LEAD,1.0 | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8473.30.11.40 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.3 | 最长访问时间： | 70 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-C34 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 25.019 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 6.85 mm | 最大待机电流： | 0.0006 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | C BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 23.495 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DS1230ABP-70+ | MAXIM |
完全替代  |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230YP-70+ | MAXIM |
类似代替 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230AB-P85 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230ABP-85 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1230ABP-85 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230AB-P85IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230ABP-85-IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1230ABP-85-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1230BL-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230BL-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1230BL-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1230BL-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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