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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | , MODULE,34LEAD,1.0 | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 85 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-U34 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 34 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J INVERTED |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230AB-P85IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230ABP-85-IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230ABP-85-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1230BL-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230BL-100-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230BL-70 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230BL-70-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1230P-100-IND | ARTSCHIP |
获取价格 |
3.3V 256K Nonvolatile SRAM |
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| DS1230P-150-IND | ARTSCHIP |
获取价格 |
3.3V 256K Nonvolatile SRAM |
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| DS1230W | DALLAS |
获取价格 |
3.3V 256k Nonvolatile SRAM |
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