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DS1230ABP-70IND

更新时间: 2024-11-06 18:12:27
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美信 - MAXIM 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 222K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34

DS1230ABP-70IND 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DMA
包装说明:POWERCAP MODULE-34针数:34
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8473.30.11.40风险等级:5.34
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-XDMA-U34
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:34
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.085 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J INVERTED端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

DS1230ABP-70IND 数据手册

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DS1230Y/AB  
256k Nonvolatile SRAM  
www.maxim-ic.com  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
ꢀꢁ10 years minimum data retention in the  
absence of external power  
A14  
A12  
A7  
1
28  
27  
VCC  
WE  
A13  
A8  
2
3
4
26  
25  
ꢀꢁData is automatically protected during power  
loss  
ꢀꢁReplaces 32k x 8 volatile static RAM,  
EEPROM or Flash memory  
ꢀꢁUnlimited write cycles  
ꢀꢁLow-power CMOS  
A6  
A5  
A4  
5
6
24  
23  
A9  
A11  
OE  
A10  
CE  
A3  
A2  
7
8
22  
21  
A1  
9
20  
19  
10  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
ꢀꢁRead and write access times as fast as 70 ns  
ꢀꢁLithium energy source is electrically  
disconnected to retain freshness until power is  
applied for the first time  
11  
12  
18  
17  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
13  
14  
16  
15  
DQ4  
DQ3  
ꢀꢁFull ±10% VCC operating range (DS1230Y)  
ꢀꢁOptional ±5% VCC operating range  
(DS1230AB)  
28-Pin ENCAPSULATED PACKAGE  
740-mil EXTENDED  
ꢀꢁOptional industrial temperature range of  
-40°C to +85°C, designated IND  
ꢀꢁJEDEC standard 28-pin DIP package  
ꢀꢁPowerCap Module (PCM) package  
NC  
NC  
A14  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
NC  
NC  
NC  
NC  
VCC  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
WE  
OE  
CE  
-
-
Directly surface-mountable module  
Replaceable snap-on PowerCap provides  
lithium backup battery  
A8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
GND  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
-
-
Standardized pinout for all nonvolatile  
SRAM products  
Detachment feature on PowerCap allows  
easy removal using a regular screwdriver  
GND VBAT  
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)  
(USES DS9034PC POWERCAP)  
PIN DESCRIPTION  
A0 - A14  
DQ0 - DQ7  
CE  
- Address Inputs  
- Data In/Data Out  
- Chip Enable  
- Write Enable  
- Output Enable  
- Power (+5V)  
- Ground  
WE  
OE  
VCC  
GND  
NC  
- No Connect  
1 of 12  
033004  

DS1230ABP-70IND 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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256k Nonvolatile SRAM
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256k Nonvolatile SRAM
DS1230AB-P85 DALLAS

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256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-85 MAXIM

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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34
DS1230ABP-85 DALLAS

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256k Nonvolatile SRAM
DS1230ABP-85-IND DALLAS

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256k Nonvolatile SRAM
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34
DS1230BL-100 ETC

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NVRAM (Battery Based)
DS1230BL-100-IND ETC

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