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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | POWERCAP MODULE-34 | 针数： | 34 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.68 |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-XDMA-U34 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J INVERTED | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1230AB-P200IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230ABP-200-IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230ABP-200-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1230AB-P70 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230ABP-70 | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230ABP-70+ | MAXIM |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230AB-P70IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230ABP-70IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, POWERCAP MODULE-34 |
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| DS1230ABP-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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| DS1230ABP-70IND+ | MAXIM |
获取价格 |
256k Nonvolatile SRAM |
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