Datasheet > DS1218S+

DS1218S+

更新时间： 2024-01-01 14:09:14

品牌	Logo	应用领域
美信 - MAXIM		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	305K
描述
Power Supply Management Circuit, Fixed, 2 Channel, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DS1218S+ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.31.00.01	风险等级：	7.88
可调阈值：	NO	模拟集成电路 - 其他类型：	POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUIT
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	湿度敏感等级：	1
信道数量：	2	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	Power Management Circuits	最大供电电流 (Isup)：	5 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

DS1218S+ 数据手册

19-6295; Rev 6/12

DS1218

Nonvolatile Controller

FEATURES

PIN ASSIGNMENT

. Converts CMOS RAM into nonvolatile

memories

V_CCO

V_CCI

. Unconditionally write protects when V_CCis

out of tolerance

. Automatically switches to battery when

power fail occurs

V_BAT

CEO

CEI

GND

. Space saving 8-pin PDIP or 8-pin 150 mil SO

Packages

. Consumes less than 100nA of battery current

PIN DESCRIPTION

V_CCI

- Input +5 Volt Supply

V_CCO

- RAM Power (V_CC) Supply

CEI

- Chip Enable Input

- No Connection

CEO

- Chip Enable Output

- + Battery

- Ground

V_BAT

GND

DESCRIPTION

The DS1218 is a CMOS circuit which solves the application problems of converting CMOS RAM into

nonvolatile memory. Incoming power is monitored for an out-of-tolerance condition. When such a

condition is detected, the chip enable output is inhibited to accomplish write protection and the battery is

switched on to supply RAM with uninterrupted power. Special circuitry uses a low-leakage CMOS

process which affords precise voltage detection at extremely low battery consumption. The 8-pin package

keeps PC board real estate requirements to a minimum. By combining the DS1218 nonvolatile controller

chip with a full CMOS memory and lithium batteries, 10 years of nonvolatile RAM operation can be

achieved.

OPERATION

The DS1218 Nonvolatile Controller performs the circuit functions required to battery back-up a RAM.

First, a switch is provided to direct power from the battery or V_CCIsupply, depending on which is greater.

This switch has a voltage drop of less than 0.2V. The second function which the nonvolatile controller

provides is power-fail detection. The DS1218 constantly monitors the V_CCsupply. When V_CCIfalls to

1.26 times the battery voltage, a precision comparator outputs a power-fail detect signal to the chip enable

logic. The third function of write protection is accomplished by holding the chip enable output signal to

within 0.2V of the V_CCIor battery supply, when a power-fail condition is detected.

During nominal supply conditions, the chip enable output will follow chip enable input with a maximum

propagation delay of 10 ns.

1 of 7

12 3 4 5 6 7

下载PDF

与DS1218S+相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DS1218S+T&R	MAXIM	Power Supply Management Circuit, Fixed, 2 Channel, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8	获取价格
DS1220	DALLAS	16k Nonvolatile SRAM	获取价格
DS1220	TTELEC	Platon Metal Tube GMT Flanged VA Flow Meter	获取价格
DS1220AB	DALLAS	16k Nonvolatile SRAM	获取价格
DS1220AB	ADI	16k非易失SRAM	获取价格
DS1220AB/AD	ETC	16k Nonvolatile SRAM	获取价格

与DS1218S+相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

15
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

15
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

13
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

10

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DS1218S+

DS1218S+ 技术参数

DS1218S+ 数据手册

与DS1218S+相关器件

与DS1218S+相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DS1218S+

DS1218S+ 技术参数

DS1218S+ 数据手册

与DS1218S+相关器件

与DS1218S+相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？