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DS1220AB

更新时间： 2024-02-26 13:06:24

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达拉斯 - DALLAS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	139K
描述
16k Nonvolatile SRAM

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DS1220AB 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最长访问时间：	200 ns
其他特性：	BATTERY BACK-UP	JESD-30 代码：	R-PDIP-T24
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2KX8
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

DS1220AB 数据手册

DS1220AB/AD

16k Nonvolatile SRAM

www.dalsemi.com

FEATURES

PIN ASSIGNMENT

ꢀ 10 years minimum data retention in the

absence of external power

VCC

ꢀ Data is automatically protected during power

loss

ꢀ Directly replaces 2k x 8 volatile static RAM

or EEPROM

ꢀ Unlimited write cycles

ꢀ Low-power CMOS

ꢀ JEDEC standard 24-pin DIP package

ꢀ Read and write access times as fast as 100 ns

ꢀ Lithium energy source is electrically

disconnected to retain freshness until power

is applied for the first time

A10

DQ7

DQ6

DQ0

DQ1

DQ2

GND

DQ5

DQ4

DQ3

24-Pin ENCAPSULATED PACKAGE

720-mil EXTENDED

ꢀ Full ±10% V_CCoperating range (DS1220AD)

ꢀ Optional ±5% V_CCoperating range

(DS1220AB)

ꢀ Optional industrial temperature range of

-40°C to +85°C, designated IND

PIN DESCRIPTION

A0-A10

- Address Inputs

DQ0-DQ7

- Data In/Data Out

- Chip Enable

- Write Enable

V_CC

GND

- Output Enable

- Power (+5V)

- Ground

DESCRIPTION

The DS1220AB and DS1220AD 16k Nonvolatile SRAMs are 16,384-bit, fully static, nonvolatile SRAMs

organized as 2048 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and

control circuitry which constantly monitors V_CCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition

occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally

enabled to prevent data corruption. The NV SRAMs can be used in place of existing 2k x 8 SRAMs

directly conforming to the popular bytewide 24-pin DIP standard. The devices also match the pinout of

the 2716 EPROM and the 2816 EEPROM, allowing direct substitution while enhancing performance.

There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is

required for microprocessor interfacing.

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与DS1220AB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DS1220AB/AD	ETC	获取价格	16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB_10	DALLAS	获取价格	16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-100	MAXIM	获取价格	16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-100+	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC,
DS1220AB-100IND	MAXIM	获取价格	16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-100-IND	DALLAS	获取价格	16k Nonvolatile SRAM
DS1220AB-100IND+	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC,
DS1220AB-120	ETC	获取价格	NVRAM (Battery Based)
DS1220AB-120+	MAXIM	获取价格	Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 120ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24
DS1220AB-120-IND	DALLAS	获取价格	16k Nonvolatile SRAM

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