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| 生命周期： | Transferred | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | 最长访问时间： | 200 ns |
| 其他特性： | BATTERY BACK-UP | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1220AD | DALLAS |
获取价格 |
16k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1220AD | ADI |
获取价格 |
16k非易失SRAM |
|
| DS1220AD-100 | MAXIM |
获取价格 |
16k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1220AD-100+ | MAXIM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| DS1220AD-100IND | MAXIM |
获取价格 |
16k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1220AD-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
16k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1220AD-100IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, |
|
| DS1220AD-120 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1220AD-120+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 120ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 |
|
| DS1220AD-120-IND | DALLAS |
获取价格 |
16k Nonvolatile SRAM |
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