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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8473.30.11.40 | Factory Lead Time： | 9 weeks |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 200 ns | JESD-30 代码： | R-XDMA-P24 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1220AB-200-IND | DALLAS |
获取价格 |
16k Nonvolatile SRAM |
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| DS1220AB-200IND+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 |
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| DS1220AB-85 | DALLAS |
获取价格 |
64k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1220AB-85IND | DALLAS |
获取价格 |
64k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1220AB-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, PDIP24, |
|
| DS1220AD | DALLAS |
获取价格 |
16k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1220AD | ADI |
获取价格 |
16k非易失SRAM |
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| DS1220AD-100 | MAXIM |
获取价格 |
16k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1220AD-100+ | MAXIM |
获取价格 |
暂无描述 |
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| DS1220AD-100IND | MAXIM |
获取价格 |
16k Nonvolatile SRAM |
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