Datasheet > 存储 > SRAM> DS1220AB-100

DS1220AB-100

更新时间： 2024-02-12 15:03:00

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美信 - MAXIM		静态存储器
页数	文件大小	规格书
8页	201K
描述
16k Nonvolatile SRAM

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DS1220AB-100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DMA
包装说明：	DIP, DIP24,.6	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8473.30.11.40	Factory Lead Time：	9 weeks
风险等级：	5.39	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	JESD-30 代码：	R-PDMA-P24
JESD-609代码：	e3	长度：	33.02 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	24	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	10.668 mm	最大待机电流：	0.01 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

DS1220AB-100 数据手册

19-5580; Rev 10/10

DS1220AB/AD

16k Nonvolatile SRAM

www.maxim-ic.com

FEATURES

PIN ASSIGNMENT

. 10 years minimum data retention in the

absence of external power

VCC

. Data is automatically protected during power

loss

. Directly replaces 2k x 8 volatile static RAM

or EEPROM

. Unlimited write cycles

. Low-power CMOS

. JEDEC standard 24-pin DIP package

. Read and write access times of 100 ns

. Lithium energy source is electrically

disconnected to retain freshness until power

is applied for the first time

A10

DQ7

DQ6

DQ0

DQ1

DQ2

GND

DQ5

DQ4

DQ3

24-Pin ENCAPSULATED PACKAGE

720-mil EXTENDED

. Full ±10% V_CCoperating range (DS1220AD)

. Optional ±5% V_CCoperating range

(DS1220AB)

. Optional industrial temperature range of

-40°C to +85°C, designated IND

PIN DESCRIPTION

A0-A10

- Address Inputs

DQ0-DQ7

- Data In/Data Out

- Chip Enable

- Write Enable

- Output Enable

- Power (+5V)

- Ground

V_CC

GND

DESCRIPTION

The DS1220AB and DS1220AD 16k Nonvolatile SRAMs are 16,384-bit, fully static, nonvolatile SRAMs

organized as 2048 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and

control circuitry which constantly monitors V_CCfor an out-of-tolerance condition. When such a condition

occurs, the lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally

enabled to prevent data corruption. The NV SRAMs can be used in place of existing 2k x 8 SRAMs

directly conforming to the popular bytewide 24-pin DIP standard. The devices also match the pinout of

the 2716 EPROM and the 2816 EEPROM, allowing direct substitution while enhancing performance.

There is no limit on the number of write cycles that can be executed and no additional support circuitry is

required for microprocessor interfacing.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DS1220AB-100+	MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC,	获取价格
DS1220AB-100IND	MAXIM	16k Nonvolatile SRAM	获取价格
DS1220AB-100-IND	DALLAS	16k Nonvolatile SRAM	获取价格
DS1220AB-100IND+	MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC,	获取价格
DS1220AB-120	ETC	NVRAM (Battery Based)	获取价格
DS1220AB-120+	MAXIM	Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 120ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24	获取价格

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