是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 0.720 INCH, EXTENDED, DIP-24 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.74 | 最长访问时间: | 150 ns |
其他特性: | 10 YEAR DATA RETENTION PERIOD | JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.085 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1220AB-150IND+ | ROCHESTER |
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2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP24, 0.720 INCH, PLASTIC, EXTENDED MODULE, DIP-24 | |
DS1220AB-170 | DALLAS |
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64k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-170IND | DALLAS |
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64k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-200 | DALLAS |
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64k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-200IND | DALLAS |
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64k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-200-IND | DALLAS |
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16k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-200IND+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 | |
DS1220AB-85 | DALLAS |
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64k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-85IND | DALLAS |
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64k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 200ns, CMOS, PDIP24, |