是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | 0.720 INCH, EXTENDED, DIP-24 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS1220AB-100IND+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, | |
DS1220AB-120 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1220AB-120+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 120ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 | |
DS1220AB-120-IND | DALLAS |
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16k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-150 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) | |
DS1220AB-150+ | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-24 | |
DS1220AB-150-IND | DALLAS |
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16k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-150IND+ | ROCHESTER |
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2KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP24, 0.720 INCH, PLASTIC, EXTENDED MODULE, DIP-24 | |
DS1220AB-170 | DALLAS |
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64k Nonvolatile SRAM | |
DS1220AB-170IND | DALLAS |
获取价格 |
64k Nonvolatile SRAM |