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DS1217M-512-25

更新时间: 2024-02-16 21:51:44
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
Memory Circuit, 64KX8, CMOS, COMPACT PACKAGE-30

DS1217M-512-25 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:COMPACT PACKAGE-30
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.62
JESD-30 代码:R-XSMA-N30内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT内存宽度:8
功能数量:1端子数量:30
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

DS1217M-512-25 数据手册

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