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DRA2L14Y0L PDF预览

DRA2L14Y0L

更新时间： 2024-09-17 21:15:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 488K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, SC-59A, 3 PIN

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DRA2L14Y0L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, SC-59A, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.83其他特性：BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JEDEC-95代码：TO-236AAJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DRA2L14Y0L 数据手册

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Doc No. TT4-EA-12560  
Revision. 2  
Transistors with Built-in Resistor  
DRA2L14Y0L  
DRA2L14Y0L  
Silicon PNP epitaxial planar type  
Unit: mm  
2.9  
For digital circuits  
0.4  
0.16  
3
Features  
High forward current transfer ratio hFE  
Low collector-emitter saturation voltage Vce(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)  
1
2
1.1  
Marking Symbol:  
Packaging  
K4  
(0.95)(0.95)  
1.9  
Embossed type (Thermo-compression sealing) : 3 000 pcs / reel (standard)  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
Panasonic  
JEITA  
Mini3-G3-B  
SC-59A  
TO-236AA/SOT-23  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C  
Code  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
-30  
-30  
-100  
200  
Unit  
V
V
mA  
mW  
°C  
Internal Connection  
Total power dissipation  
Junction temperature  
PT  
Tj  
C
R1  
B
150  
R2  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
Topr  
Tstg  
-40 to +85  
-55 to +150  
°C  
°C  
E
k  
k  
Resistance R1  
R2  
10  
47  
value  
Electrical Characteristics Ta = 25 C 3 C  
Parameter  
Symbol  
VCBO IC = -10 μA, IE = 0  
VCEO IC = -2 mA, IB = 0  
Conditions  
Min Typ Max  
-30  
-30  
Unit  
V
V
μA  
μA  
mA  
-
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = -30 V, IE = 0  
VCE = -30 V, IB = 0  
VEB = -3 V, IC = 0  
-0.1  
-0.5  
-0.1  
VCE = -10 V, IC = -5 mA  
80  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = -50 mA, IB = -0.33 mA  
Vi(on) VCE = -0.2 V, IC = -5 mA  
Vi(off) VCE = -5 V, IC = -100 μA  
-0.6 -1.2  
-1.5  
V
V
V
Input voltage  
-0.5  
Input resistance  
Resistance ratio  
R1  
R1/R2  
-30% 10 +30%  
0.16 0.213 0.27  
k  
-
Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring methods for transistors.  
Note)1.  
Page 1 of 3  
Established : 2010-04-22  
Revised : 2014-03-07  
1234

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