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DRA3123E

更新时间： 2024-11-21 19:55:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 465K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2-B, 3 PIN

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DRA3123E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
最大集电极电流 (IC)：0.1 A最小直流电流增益 (hFE)：6
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DRA3123E 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DRA3123E  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Complementary to DRC3123E  
DRA9123E in SSSMini3 type package  
Features  
ꢀPackage  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
ꢀCode  
Eco-friendly Halogen-free package  
SSSMini3-F2-B  
ꢀPin Name  
1: Base  
Packaging  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 10000 pcs / reel (standard)  
2: Emitter  
3: Collector  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
ꢀMarking Symbol: L2  
ꢀInternal Connection  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
C
E
–50  
V
R1  
B
–100  
mA  
mW  
°C  
R2  
Total power dissipation  
PT  
100  
Junction temperature  
Tj  
150  
R1  
R2  
2.2  
2.2  
kΩ  
kΩ  
Resistance value  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
VCBO IC = –10 µA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
–2.0  
20  
µA  
µA  
mA  
V
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
6
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.5 mA  
VI(on) VCE = – 0.2 V, IC = –5 mA  
– 0.30  
–1.8  
V
Input voltage (OFF)  
VI(off) VCE = –5 V, IC = –100 µA  
– 0.8  
+30%  
1.2  
V
Input resistance  
R1  
–30%  
0.8  
2.2  
1.0  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: December 2010  
Ver. BED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DRA3123E0L PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DRA3123J PANASONIC

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