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DRA2TB

更新时间: 2024-11-24 22:26:39
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三洋 - SANYO 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 91K
描述
2.0A Reverse Blocking Thyristor

DRA2TB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:15 V/us最大直流栅极触发电流:0.2 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大维持电流:3 mA
JEDEC-95代码:TO-202JESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大漏电流:0.2 mA通态非重复峰值电流:20 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:2000 A最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:3.14 A
断态重复峰值电压:100 V重复峰值反向电压:100 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

DRA2TB 数据手册

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