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DN2530

更新时间： 2023-12-06 20:11:05

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美国微芯 - MICROCHIP		/
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13页	653K
描述
The DN2530 is a low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertic

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DN2530 数据手册

DN2530

Output Characteristics

Saturation Characteristics

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

-0.5V

V_GS= 1.0V

-1.0V

0.5V

-1.5V

-0.5V

-1.0V

-1.5V

100

150

200

250

V_DS(volts)

Power Dissipation vs. Ambient Temperature

Transconductance vs. Drain Current

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

2.0

V_DS= 10V

TO-243AA

1.6

T_A= -55°C

1.2

T_A= 25°C

T_A= 125°C

0.8

TO-92

0.4

100

125

150

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

T_A(°C)

I_D(amperes)

Thermal Response Characteristics

Maximum Rated Safe Operating Area

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

TO-92 (pulsed)

TO-243AA

T_A= 25°C

P_D= 1.6W

TO-92 (DC)

0.1

0.01

0.001

TO-92

T_C= 25°C

P_D= 1.0W

T_C= 25°C

0.001

0.01

0.1

1.0

100

1000

V_DS(volts)

t_P(seconds)

FIGURE 3-2:

Typical Performance Curves

 2016 Microchip Technology Inc.

DS20005451A-page 5

1 2 3 456 7 8...13

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