是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 17 weeks | 风险等级: | 1.66 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10.5 A | 最大漏极电流 (ID): | 9.4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.015 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N3 | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.03 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMN2015UFDF | DIODES |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2015UFDF-13 | DIODES |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2015UFDF-7 | DIODES |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2016LFG | DIODES |
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N-Channel Mosfet | |
DMN2016LHAB | DIODES |
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Low On-Resistance | |
DMN2016LHAB_15 | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2016LHAB-7 | DIODES |
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Low On-Resistance | |
DMN2016UFX | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2016UTS | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2019UTS | DIODES |
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Low On-Resistance |