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DMN2020LSN-7

更新时间： 2024-01-19 07:46:43
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6页 153K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2020LSN-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：1.66
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.9 A
最大漏极电流 (ID)：6.9 A最大漏源导通电阻：0.02 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.61 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN2020LSN-7 数据手册

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DMN2020LSN  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
ESD Protected Up To 2KV  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
•
•
Case: SC-59  
Case Material - Molded Plastic, "Green" Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish Matte Tin annealed over Copper leadframe.  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 2  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
•
•
•
•
•
•
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
SC-59  
Drain  
D
Gate  
S
G
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
TOP VIEW  
Pin Out Configuration  
ESD PROTECTED TO 2kV  
TOP VIEW  
EQUIVALENT CIRCUIT  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
20  
Units  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
±12  
VGSS  
T
A = 25°C  
Steady  
State  
6.9  
4.5  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
A
A
ID  
TA = 85°C  
30  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 3)  
Symbol  
PD  
Value  
0.61  
204  
Units  
W
Thermal Resistance, Junction to Ambient @TA = 25°C (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
°C /W  
°C  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" Policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB, with minimum recommended pad layout.  
4. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.  
1 of 6  
www.diodes.com  
September 2009  
© Diodes Incorporated  
DMN2020LSN  
Document number: DS31946 Rev. 2 - 2  
123456

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