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DMG1012UW-7

更新时间： 2024-11-28 06:54:11
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美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
6页 152K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMG1012UW-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SOT-323, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：1.61其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：0.45 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.29 W
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMG1012UW-7 数据手册

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DMG1012UW  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
ESD Protected Up To 2KV  
"Green" Device (Note 2)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
•
•
Case: SOT-323  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram Below  
Terminals: Finish ۛ Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 2  
•
•
•
•
•
•
•
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
Drain  
D
Gate  
Gate  
Protection  
Diode  
G
S
Source  
TOP VIEW  
ESD PROTECTED TO 2kV  
EQUIVALENT CIRCUIT  
TOP VIEW  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
20  
Unit  
V
Gate-Source Voltage  
±6  
V
VGSS  
TA = 25°C  
TA = 85°C  
Steady  
1.0  
0.64  
Continuous Drain Current (Note 3)  
State  
A
A
ID  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
6
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 3)  
Symbol  
PD  
Max  
0.29  
425  
Unit  
W
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient @TA = 25°C (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
RθJA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB, with minimum recommended pad layout.  
4. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.  
1 of 6  
www.diodes.com  
October 2009  
© Diodes Incorporated  
DMG1012UW  
Document number: DS31859 Rev. 3 - 2  
123456

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获取价格

 		COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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