DF2S12S

更新时间： 2024-09-18 03:35:31

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描述
Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).

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DF2S12S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOD
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.71
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	25 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	12 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

DF2S12S 数据手册

DF2S12S

TOSHIBA Diodes for Protecting against ESD Epitaxial Planar Type

DF2S12S

Product for Use Only as Protection against Electrostatic

Discharge (ESD).

Unit: mm

* This product is for protection against electrostatic discharge (ESD)

only and is not intended for any other usage, including without

limitation, the constant voltage diode application.

z 2terminal ultra small package suitable for mounting on small space.

z Low total capacitance: C = 15 pF (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Power dissipation

Symbol

Rating

Unit

150

°C

Junction temperature

Storage temperature range

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high

temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

absolute maximum ratings.

JEDEC

⎯

JEITA

⎯

TOSHIBA

1-1K1A

Weight: 0.001 g (typ.)

Please design the appropriate reliability upon reviewing the

Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and

individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

*: Mounted on a glass-epoxy circuit board of 20 × 20 mm, pad dimensions of 4 × 4 mm.

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Test

Circuit

Characteristic

Zener voltage

Symbol

Test Condition

= 5 mA

Min

Typ.

Max

Unit

―

11.4

―

12.0

―

12.6

Dynamic impedance

Reverse current

―

= 5 mA

―

=9 V

―

0.05

―

μA

Total capacitance

―

= 0 V, f = 1 MHz

―

Guaranteed Level of ESD Immunity

Test Condition

ESD Immunity Level

IEC61000-4-2

(contact discharge)

± 20 kV

Criterion: No damage to device elements

2007-11-01

12 3

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与DF2S12S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DF2S14P2CTC	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 12.6 V, SOD-963(CST2C)
DF2S14P2FU	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 12.6 V, SOD-323(USC)
DF2S16ASL	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), 12 V, SOD-962(SL2)
DF2S16CT	TOSHIBA	获取价格	Unidirectional TVS Diode (ESD Protection Diode), SOD-882(CST2)
DF2S16CT(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,16.2V V(Z),5.6%,SOD-882
DF2S16FS	TOSHIBA	获取价格	Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF2S16FS(TL3,T)	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, Silicon, Unidirectional
DF2S16FS(TL3CNOI,E	TOSHIBA	获取价格	Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, Silicon, Unidirectional
DF2S16FS(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,16V V(Z),4.4%,EMD2VAR
DF2S16FS,L3F	TOSHIBA	获取价格	VOLTAGE REGULATOR DIODE

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