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DF2S16CT(TPL3)

更新时间： 2024-11-07 20:03:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 149K
描述
ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,16.2V V(Z),5.6%,SOD-882

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DF2S16CT(TPL3) 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.8配置：SINGLE
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：35 Ω
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大功率耗散：0.15 W标称参考电压：16.2 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：YES
最大电压容差：5.6%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

DF2S16CT(TPL3) 数据手册

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DF2S16CT  
TOSHIBA Diodes for Protecting against ESD Epitaxial Planar Type  
DF2S16CT  
Product for Use Only as Protection against Electrostatic  
Discharge (ESD).  
Unit: mm  
* This product is for protection against electrostatic discharge (ESD) only  
and is not intended for any other usage, including without limitation, the  
constant voltage diode application.  
0.6±0.05  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
0.5±0.03  
+0.02  
-0.03  
0.05±0.03  
0.38  
Characteristic  
Power dissipation  
Symbol  
Rating  
Unit  
P*  
150*  
150  
mW  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
*: Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 mm × 20 mm,  
pad dimension of 4 mm × 4 mm.  
CST2  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
TOSHIBA  
1-1P1A  
Weight: 0.7 mg (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and  
estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Zener voltage  
Symbol  
Test Condition  
= 5 mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
Z
―
I
I
15.3  
―
―
―
―
10  
17.1  
35  
V
Ω
Z
Z
Dynamic impedance  
Reverse current  
―
= 5 mA  
Z
Z
I
―
V
V
= 12 V  
―
0.5  
―
μA  
pF  
R
R
R
Total capacitance  
CT  
―
= 0 V, f =1 MHz  
―
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
YP  
1
2009-06-22  
1234

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与DF2S16CT(TPL3)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DF2S16FS TOSHIBA

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 		Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF2S16FS(TL3,T) TOSHIBA

获取价格

 		Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, Silicon, Unidirectional
DF2S16FS(TL3CNOI,E TOSHIBA

获取价格

 		Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, Silicon, Unidirectional
DF2S16FS(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,16V V(Z),4.4%,EMD2VAR
DF2S16FS,L3F TOSHIBA

获取价格

 		VOLTAGE REGULATOR DIODE
DF2S16FS,L3F(T TOSHIBA

获取价格

 		Zener Diode
DF2S16FS,L3M(T TOSHIBA

获取价格

 		Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, Silicon, Unidirectional
DF2S16FS,L3NKODF(A TOSHIBA

获取价格

 		Zener Diode, 16V V(Z), 5.56%, Silicon, Unidirectional
DF2S16S TOSHIBA

获取价格

 		Product for Use Only as Protection against Electrostatic Discharge (ESD).
DF2S18CT(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,18V V(Z),1%,SOD-882

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