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D2010UK

更新时间： 2024-01-12 02:23:01

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描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D2010UK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CERAMIC, DP, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
JESD-609代码：	e4	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	GOLD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

D2010UK 数据手册

TetraFET

D2010UK

METAL GATE RF SILICON FET

MECHANICAL DATA

GOLD METALLISED

MULTI-PURPOSE SILICON

DMOS RF FET

(typ)

20W – 28V – 1GHz

SINGLE ENDED

(2 pls)

FEATURES

• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN

• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS

• LOW C

rss

PIN 1

PIN 3

SOURCE

GATE

PIN 2

DRAIN

• SIMPLE BIAS CIRCUITS

• LOW NOISE

DIM

16.51

6.35

45°

3.30

18.92

1.52

2.16

14.22

1.52

6.35

0.13

5.08

Tol.

0.25

0.13

5°

0.13

0.08

0.13

0.08

0.13

0.03

0.51

Inches

Tol.

0.650

0.250

45°

0.010

0.005

5°

• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM

0.130

0.745

0.060

0.085

0.560

0.060

0.250

0.005

0.200

0.005

0.003

0.005

0.003

0.005

0.001

0.020

APPLICATIONS

• VHF/UHF COMMUNICATIONS

from 50 MHz to 1 GHz

1.27 x 45° 0.13 0.050 x 45° 0.005

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Power Dissipation

83W

65V

Drain – Source Breakdown Voltage

Gate – Source Breakdown Voltage

Drain Current

DSS

GSS

±20V

D(sat)

Storage Temperature

–65 to 150°C

200°C

stg

Maximum Operating Junction Temperature

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim.12/00

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