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D2013UK

更新时间： 2024-02-28 01:02:24

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4页	62K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D2013UK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CERAMIC, DK, 5 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F4	JESD-609代码：	e4
元件数量：	2	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	GOLD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

D2013UK 数据手册

TetraFET

D2013UK

METAL GATE RF SILICON FET

MECHANICAL DATA

GOLD METALLISED

MULTI-PURPOSE SILICON

DMOS RF FET

(

2 pls

)

20W – 28V – 1GHz

PUSH–PULL

4 pls

( )

FEATURES

• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN

• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS

• VERY LOW C

PIN 1

PIN 3

PIN 5

SOURCE (COMMON) PIN 2

DRAIN 1

GATE 2

rss

DRAIN 2

GATE 1

PIN 4

• SIMPLE BIAS CIRCUITS

• LOW NOISE

DIM

6.45

1.65R

45°

16.51

6.47

18.41

1.52

4.82

24.76

1.52

0.81R

0.13

2.16

Tol.

Inches

Tol.

0.13

5°

0.254

0.065R

45°

0.005

5°

• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM

0.76

0.13

0.25

0.13

0.02

0.13

0.650

0.255

0.725

0.060

0.190

0.975

0.060

0.032R

0.005

0.085

0.03

0.005

0.010

0.005

0.001

0.005

APPLICATIONS

• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS

from 1MHz to 2 GHz

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Power Dissipation

83W

Drain – Source Breakdown Voltage *

Gate – Source Breakdown Voltage *

Drain Current *

65V

±20V

DSS

GSS

D(sat)

Storage Temperature

–65 to 150°C

200°C

stg

Maximum Operating Junction Temperature

* Per Side

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim.12/00

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