5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.5 |
| 其他特性： | HIGH SURGE CAPABILITY, UL RECOGNIZED | 应用： | HIGH VOLTAGE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 225 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大输出电流： | 9.5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 4 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| D2015LV | LITTELFUSE | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9.5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, |
获取价格 |
|
| D2015UK | SEME-LAB | METAL GATE RF SILICON FET |
获取价格 |
|
| D2015UK | TTELEC | Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
获取价格 |
|
| D2016UK | SEME-LAB | ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET |
获取价格 |
|
| D2016UK | TTELEC | OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
获取价格 |
|
| D2017UK | SEME-LAB | METAL GATE RF SILICON FET |
获取价格 |
|
STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
