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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.4 |
| 其他特性： | HIGH SURGE CAPABILITY, UL RECOGNIZED | 应用： | HIGH VOLTAGE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 225 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 9.5 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 4 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D2015L59V | TECCOR |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9.5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, |
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| D2015L65 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9.5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, |
|
| D2015L68 | TECCOR |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9.5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, |
|
| D2015LV | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9.5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, |
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| D2015UK | SEME-LAB |
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METAL GATE RF SILICON FET |
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| D2015UK | TTELEC |
获取价格 |
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
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| D2016UK | SEME-LAB |
获取价格 |
ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET |
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| D2016UK | TTELEC |
获取价格 |
OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
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| D2017UK | SEME-LAB |
获取价格 |
METAL GATE RF SILICON FET |
|
| D2017UK | TTELEC |
获取价格 |
OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
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