Datasheet > D2012UK

D2012UK

更新时间： 2024-01-11 22:12:06

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		射频
页数	文件大小	规格书
4页	56K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

D2012UK 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	3 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

D2012UK 数据手册

TetraFET

D2012UK

METAL GATE RF SILICON FET

MECHANICAL DATA

GOLD METALLISED

MULTI-PURPOSE SILICON

DMOS RF FET

(typ)

10W – 28V – 1GHz

SINGLE ENDED

(2 pls)

FEATURES

• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN

• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS

• LOW C

rss

PIN 1

PIN 3

SOURCE

GATE

PIN 2

DRAIN

• SIMPLE BIAS CIRCUITS

• LOW NOISE

DIM

16.51

6.35

45°

3.30

18.92

1.52

2.16

14.22

1.52

6.35

0.13

5.08

Tol.

0.25

0.13

5°

0.13

0.08

0.13

0.08

0.13

0.03

0.51

Inches

Tol.

0.650

0.250

45°

0.010

0.005

5°

• HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM

0.130

0.745

0.060

0.085

0.560

0.060

0.250

0.005

0.200

0.005

0.003

0.005

0.003

0.005

0.001

0.020

APPLICATIONS

• VHF/UHF COMMUNICATIONS

from 50 MHz to 2 GHz

1.27 x 45° 0.13 0.050 x 45° 0.005

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Power Dissipation

42W

65V

Drain – Source Breakdown Voltage

Gate – Source Breakdown Voltage

Drain Current

DSS

GSS

±20V

D(sat)

Storage Temperature

–65 to 150°C

200°C

stg

Maximum Operating Junction Temperature

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 12/00

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与D2012UK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
D2013	SEME-LAB	获取价格	METAL GATE RF SILICON FET
D2013UK	SEME-LAB	获取价格	METAL GATE RF SILICON FET
D2013UK	TTELEC	获取价格	Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
D2014UK	SEME-LAB	获取价格	GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 2.5W - 28V - 500MHz SINGLE ENDED
D2014UK	TTELEC	获取价格	Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
D2015L	LITTELFUSE	获取价格	Teccor manufactures 15 A rms to 25 A rms rectifiers with voltages rated from 200V to 1000V
D2015L51	TECCOR	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9.5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2015L51V	TECCOR	获取价格	暂无描述
D2015L52	LITTELFUSE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9.5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2015L52	TECCOR	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9.5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB