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CY7C1483V33-150BZC

更新时间: 2024-09-18 22:23:55
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
30页 639K
描述
2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM

CY7C1483V33-150BZC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-165针数:165
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:5.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK):150 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e0长度:17 mm
内存密度:75497472 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:165
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):220
电源:2.5/3.3,3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15 mmBase Number Matches:1

CY7C1483V33-150BZC 数据手册

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