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CY7C1483V33-133BZC

更新时间: 2024-09-18 22:23:55
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 639K
描述
2M x 36/4M x 18/1M x 72 Flow-through SRAM

CY7C1483V33-133BZC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165针数:165
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:6.5 ns其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B165JESD-609代码:e0
长度:17 mm内存密度:75497472 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:165字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LBGA
封装等效代码:BGA165,11X15,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):220电源:2.5/3.3,3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.4 mm
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15 mm
Base Number Matches:1

CY7C1483V33-133BZC 数据手册

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