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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, | 针数： | 209 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 6.5 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | JESD-30 代码： | R-PBGA-B209 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 22 mm |
| 内存密度： | 37748736 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 72 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 209 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX72 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.96 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| CY7C1447AV25-133BGXC | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1447AV25-133BGXI | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1447AV33 | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1447AV33-100BGC | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1447AV33-100BGI | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1447AV33-100BGXC | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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