是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | LCC | 包装说明: | PLASTIC, LCC-52 |
针数: | 52 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.53 | 最长访问时间: | 35 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 19.1262 mm |
内存密度: | 32768 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 52 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 4KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC52,.8SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 19.1262 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C135-35JIR | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
CY7C135-35JIT | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
CY7C1353-66AC | CYPRESS |
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256Kx18 Flow-Through SRAM with NoBL Architecture | |
CY7C1353-66ACT | CYPRESS |
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暂无描述 | |
CY7C1353B | CYPRESS |
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256Kx18 Flow-Through SRAM with NoBL Architecture | |
CY7C1353B-100AC | CYPRESS |
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256Kx18 Flow-Through SRAM with NoBL Architecture | |
CY7C1353B-100ACT | CYPRESS |
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ZBT SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
CY7C1353B-117AC | CYPRESS |
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256Kx18 Flow-Through SRAM with NoBL Architecture | |
CY7C1353B-117ACT | CYPRESS |
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ZBT SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
CY7C1353B-40AC | CYPRESS |
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256Kx18 Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |