是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP22,.4 |
针数: | 22 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.42 | 最长访问时间: | 25 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T22 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 27.432 mm | 内存密度: | 1024 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 22 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256X4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP22,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.06 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C122-25LC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 256X4, 25ns, CMOS, CQCC24, CERAMIC, LCC-24 | |
CY7C122-25SCT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 256X4, 25ns, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 | |
CY7C122-35DC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C122-35LC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 256X4, 35ns, CMOS, CQCC24, CERAMIC, LCC-24 | |
CY7C122-35LMB | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C122-35SCR | CYPRESS |
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Standard SRAM, 256X4, 35ns, CMOS, PDSO24, PLASTIC, SOIC-24 | |
CY7C1223F | CYPRESS |
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2-Mb (128K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1223F-133AC | CYPRESS |
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2-Mb (128K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM | |
CY7C1223F-133ACT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 128KX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
CY7C1223H | CYPRESS |
获取价格 |
2-Mbit (128K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |