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CY7C122-25DC

更新时间: 2024-11-07 20:33:43
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 155K
描述
Standard SRAM, 256X4, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.400 INCH, CERDIP-22

CY7C122-25DC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP22,.4
针数:22Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.42最长访问时间:25 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T22JESD-609代码:e0
长度:27.432 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:22字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X4输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.06 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C122-25DC 数据手册

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