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CY7C109B-25VI

更新时间： 2024-11-04 22:06:55
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
12页 199K
描述
128K x 8 Static RAM

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CY7C109B-25VI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.23最长访问时间：25 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J32
JESD-609代码：e0长度：20.955 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ32,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.7592 mm最大待机电流：0.01 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C109B-25VI 数据手册

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009B  
CY7C109B  
CY7C1009B  
128K x 8 Static RAM  
put Enable (OE), and three-state drivers. Writing to the device  
is accomplished by taking Chip Enable One (CE1) and Write  
Enable (WE) inputs LOW and Chip Enable Two (CE2) input  
HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is then  
written into the location specified on the address pins (A0  
through A16).  
Features  
• High speed  
— tAA = 12 ns  
• Low active power  
— 495 mW (max. 12 ns)  
Reading from the device is accomplished by taking Chip En-  
able One (CE1) and Output Enable (OE) LOW while forcing  
Write Enable (WE) and Chip Enable Two (CE2) HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location speci-  
fied by the address pins will appear on the I/O pins.  
• Low CMOS standby power  
— 55 mW (max.) 4 mW  
• 2.0V Data Retention  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE1, CE2, and OEoptions  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE1  
HIGH or CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or  
during a write operation (CE1 LOW, CE2 HIGH, and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C109B is available in standard 400-mil-wide SOJ and  
32-pin TSOP type I packages. The CY7C1009B is available in  
300-mil-wide SOJ package. The CY7C1009B and  
CY7C109B are functionally equivalent in all other respects.  
The CY7C109B / CY7C1009B is a high-performance CMOS  
static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy mem-  
ory expansion is provided by an active LOW Chip Enable  
(CE1), an active HIGH Chip Enable (CE2), an active LOW Out-  
a
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ  
Top View  
V
NC  
32  
31  
30  
1
CC  
A
16  
A
15  
2
3
A
14  
CE  
2
A
4
12  
29  
28  
WE  
5
A
A
A
A
13  
A
8
A
7
27  
26  
6
6
5
7
9
25  
24  
23  
22  
21  
A
A
3
8
9
10  
11  
12  
13  
A
4
11  
OE  
I/O  
A
A
10  
2
0
A
1
CE  
I/O  
I/O  
INPUT BUFFER  
1
7
6
A
0
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
20  
19  
1
A
0
A
1
I/O  
5
14  
15  
16  
I/O  
I/O  
18  
17  
4
2
A
2
GND  
3
109B–2  
A
3
4
A
A11  
A9  
A8  
A13  
WE  
CE2  
A15  
VCC  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
1
2
32  
31  
OE  
A10  
CE  
I/O  
I/O  
I/O  
3
4
5
512 x 256 x 8  
ARRAY  
A
5
6
3
4
5
6
7
8
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
GND  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A
7
8
A
TSOP I  
Top View  
9
(not to scale)  
I/O  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
6
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
1
2
CE  
I/O  
WE  
A1  
A2  
A3  
109B–1  
OE  
109B–3  
Selection Guide  
7C109B-12  
7C1009B-12  
7C109B-15  
7C1009B-15  
7C109B-20  
7C1009B-20  
7C109B-25  
7C1009B-25  
7C109B-35  
7C1009B-35  
Maximum Access Time (ns)  
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby Current (mA)  
12  
90  
10  
15  
80  
10  
20  
75  
10  
25  
70  
10  
35  
60  
10  
Maximum CMOS Standby Current (mA)  
Low Power Version  
2
2
2
-
-
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05038 Rev. **  
Revised August 24, 2001  
1234567...12

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