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CY7C109BN-12ZXC

更新时间: 2024-09-16 18:40:31
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 1123K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32

CY7C109BN-12ZXC 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP1
包装说明:8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.5
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e3
长度:18.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:8 mmBase Number Matches:1

CY7C109BN-12ZXC 数据手册

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