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CY7C109BN-15VIT

更新时间: 2024-11-05 18:40:31
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 1123K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32

CY7C109BN-15VIT 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, SOJ-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
最长访问时间:15 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:18.415 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY7C109BN-15VIT 数据手册

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