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CY7C109BN-15VC

更新时间: 2024-11-05 18:40:31
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 1123K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32

CY7C109BN-15VC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, SOJ-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.8
最长访问时间:15 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:18.415 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:2
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):220
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:3.7592 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

CY7C109BN-15VC 数据手册

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