是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | LEAD FREE, TSOP2-54 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.62 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 12 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 22.415 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 54 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP54,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.05 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.26 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1069AV33-8BAC | CYPRESS |
获取价格 |
2M x 8 Static RAM | |
CY7C1069AV33-8BAI | CYPRESS |
获取价格 |
2M x 8 Static RAM | |
CY7C1069AV33-8ZC | CYPRESS |
获取价格 |
2M x 8 Static RAM | |
CY7C1069AV33-8ZI | CYPRESS |
获取价格 |
2M x 8 Static RAM | |
CY7C1069BV33 | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (2M x 8) Static RAM | |
CY7C1069BV33-10ZC | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (2M x 8) Static RAM | |
CY7C1069BV33-10ZCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 2MX8, 10ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | |
CY7C1069BV33-10ZI | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (2M x 8) Static RAM | |
CY7C1069BV33-10ZIT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 | |
CY7C1069BV33-10ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (2M x 8) Static RAM |