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CY7C1021BNV33L-10VXC PDF预览

CY7C1021BNV33L-10VXC

更新时间： 2024-11-26 03:22:23
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 533K
描述
64K x 16 Static RAM

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CY7C1021BNV33L-10VXC 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.35Is Samacsys：N
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J44JESD-609代码：e4
长度：28.575 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：44字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ44,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.921 mm
最大待机电流：0.0001 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY7C1021BNV33L-10VXC 数据手册

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CY7C1021BNV33  
64K x 16 Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• 3.3V operation (3.0V–3.6V)  
The CY7C1021BNV is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 65,536 words by 16 bits. This device has an  
automatic power-down feature that significantly reduces  
power consumption when deselected.  
• High speed  
— tAA = 10, 12, 15 ns  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low Active Power (L version)  
— 576 mW (max.)  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte Low Enable  
(BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O1 through I/O8), is  
written into the location specified on the address pins (A0  
through A15). If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data  
from I/O pins (I/O9 through I/O16) is written into the location  
specified on the address pins (A0 through A15).  
• Low CMOS Standby Power (L version)  
— 1.80 mW (max.)  
• Automatic power-down when deselected  
• Independent control of upper and lower bits  
• Available in 44-pin TSOP II and 400-mil SOJ  
• Available in a 48-Ball Mini BGA package  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the  
Write Enable (WE) HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is LOW,  
then data from the memory location specified by the address  
pins will appear on I/O1 to I/O8. If Byte High Enable (BHE) is  
LOW, then data from memory will appear on I/O9 to I/O16. See  
the truth table at the back of this data sheet for a complete  
description of read and write modes.  
The input/output pins (I/O1 through I/O16) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected  
(CE HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and  
BLE are disabled (BHE, BLE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
The CY7C1021BNV is available in 400-mil-wide SOJ,  
standard 44-pin TSOP Type II, and 48-ball mini BGA  
packages.  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ / TSOP II  
DATA IN DRIVERS  
Top View  
44  
1
A
A
5
4
43  
42  
41  
40  
39  
38  
A
A
6
2
3
4
5
6
3
A
A
2
7
A7  
A6  
OE  
A
1
BHE  
BLE  
I/O  
A
0
A5  
A4  
A3  
A2  
64K x 16  
CE  
I/O1–I/O8  
RAM Array  
512 X 2048  
I/O  
7
1
16  
37  
36  
35  
34  
33  
I/O  
I/O  
8
I/O  
I/O  
I/O  
2
3
15  
14  
13  
I/O9–I/O16  
9
A1  
A0  
10  
11  
12  
13  
I/O  
4
VSS  
VCC  
VSS  
VCC  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
32  
I/O  
5
12  
11  
10  
9
31  
30  
29  
28  
I/O  
6
14  
15  
16  
I/O  
7
COLUMN DECODER  
I/O  
8
WE 17  
NC  
18  
27  
26  
25  
A
A
8
15  
BHE  
19  
A
A
14  
9
WE  
CE  
OE  
A
A
12  
NC  
20  
21  
22  
A
11  
NC  
13  
10  
A
24  
23  
BLE  
Note:  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06433 Rev. **  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised February 1, 2006  
[+] Feedback  
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CY7C1021BNV33L-10VXC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C1021CV33-10VXCT CYPRESS

完全替代

 Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-44
CY7C1021DV33-10VXI CYPRESS

完全替代

 1-Mbit (64K x 16) Static RAM
CY7C1021DV33-10VXIT CYPRESS

类似代替

 Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-44

与CY7C1021BNV33L-10VXC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1021BNV33L-10VXCT CYPRESS

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 		暂无描述
CY7C1021BNV33L-10ZXC CYPRESS

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 		64K x 16 Static RAM
CY7C1021BNV33L-10ZXCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44
CY7C1021BNV33L-12ZC CYPRESS

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 		64K x 16 Static RAM
CY7C1021BNV33L-12ZCT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
CY7C1021BNV33L-12ZXC CYPRESS

获取价格

 		64K x 16 Static RAM
CY7C1021BNV33L-12ZXCT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44
CY7C1021BNV33L-15BAI CYPRESS

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 		64K x 16 Static RAM
CY7C1021BNV33L-15BAIT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PBGA48,
CY7C1021BNV33L-15VXC CYPRESS

获取价格

 		64K x 16 Static RAM

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